核心成長驅動
- 未來3年NAND市場TAM預計以年複合成長率（CAGR）**34%**加速擴張，遠高於過去25年平均約10%的水準
- 成長動能來自：位元需求年增約20% + ASP年增約10%前段
- 2027年NAND每Kwfpm產能對應營收預計達10.2萬美元（2025年預估為5.5萬美元）
需求結構轉變
應用領域 | 2024年佔比 | 2027年預估 | 成長特徵 |
|---|---|---|---|
eSSD（企業級） | ~29% | ~48% | AI推理驅動，CAGR 49% |
智慧型手機/平板 | ~30% | ~21% | 成熟市場，容量升級為主 |
客戶端SSD | ~18% | ~15% | AI PC帶動溫和成長 |
USB/記憶卡 | <5% | 持續萎縮 | 利基市場 |
AI推理對儲存需求的結構性影響
- KV快取技術成為關鍵：LLM推論過程中，Key-Value快取需高效存取，推動高性能eSSD需求
- NVIDIA BlueField-4 DPU導入ICMS技術，可將外部儲存延遲降低5倍、能效提升5倍
- AI伺服器儲存容量較通用伺服器高3-3.2倍，單機容量預計突破70TB
eSSD vs HDD經濟性分析
- HDD在冷儲存/備份領域仍具成本優勢
- SSD在熱數據、低延遲應用不可替代
- 兩者呈互補關係而非完全替代
NAND vs DRAM 比較分析
指標 | NAND | DRAM |
|---|---|---|
資本密集度（2025-27E平均） | ~16% | ~26% |
投資紀律 | 較嚴格 | 相對寬鬆 |
AI相關TAM成長率（24-27E） | +83% | +78% |
2028年AI TAM規模預估 | ~700億美元 | ~2,200億美元 |
技術瓶頸 | 積層數提升挑戰 | 微縮物理極限 |
NAND行業因用途多元、技術差異化空間大，行業整合速度慢於DRAM，但主要廠商獲利能力正逐步改善。
技術發展趨勢
3D NAND積層競賽
- 2026年主流：200-236層（TLC/QLC）
- 領先佈局：SK海力士321層、鎧俠/WD 332層已進入量產準備
- 層數提升帶來挑戰：高深寬比蝕刻、應力控制、字線電阻、單元效率
CBA（CMOS直接鍵合陣列）技術
- 鎧俠BiCS技術核心：將CMOS周邊電路與NAND陣列分離製造後鍵合
- 優勢：可分別優化邏輯製程（28nm→14nm）與儲存陣列製程，提升性能與密度
- 代價：製程複雜度提升、設備投資增加
HBF（高頻寬閃存）潛在變數
- SanDisk提出概念：結合NAND大容量與HBM高頻寬特性
- 目標：AI推論應用，提供8-16倍於HBM的容量、相近頻寬
- 時間表：2026下半年技術細節公開，2027上半年產品化
- 風險：若商業化成功，可能擾動現有NAND供需格局
價格與獲利展望
ASP走勢預測
行業獲利能力復甦
- 2026年NAND行業營業利潤率預估達30%後段（2025年約10%）
- 主要廠商OP/bit（每bit營業利潤）轉正並持續擴大
- eSSD佔比提升有助抵銷消費端需求疲軟風險
競爭格局與投資策略
市場份額（2024年預估）
- 三星電子：~30%
- 鎧俠/WD：~18%
- SK海力士（含Solidigm）：~17%
- 美光：~12%
- 長江儲存：~10%
投資建議摘要
標的類型 | 建議標的 | 評級 | 核心邏輯 |
|---|---|---|---|
NAND專業廠商 | 鎧俠(285A.T) | Overweight | BiCS技術優勢、eSSD成長彈性大 |
綜合記憶體廠 | 三星(005930.KS) | Overweight | 規模優勢、TLC主導地位 |
綜合記憶體廠 | SK海力士(000660.KS) | Overweight | 321層領先、Solidigm整合效益 |
綜合記憶體廠 | 美光(MU.US) | Overweight | 垂直整合、232層TLC競爭力 |
設備商 | 東京電子(8035.T) | Overweight | 蝕刻/薄膜設備需求穩健 |
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